如(ru)果你需要購買磨(mo)(mo)粉機(ji)，而且區(qu)分不了(le)雷蒙(meng)(meng)磨(mo)(mo)與(yu)球磨(mo)(mo)機(ji)的區(qu)別，那么下面讓我來(lai)給你講解一下： 雷蒙(meng)(meng)磨(mo)(mo)和球磨(mo)(mo)機(ji)外形差(cha)異較(jiao)大，雷蒙(meng)(meng)磨(mo)(mo)高(gao)達威猛，球磨(mo)(mo)機(ji)敦實個頭也不小(xiao)，但是二者的工
隨著社會經濟的(de)(de)快速發展，礦石磨粉的(de)(de)需求量越來越大，傳統(tong)的(de)(de)磨粉機已(yi)經不能滿足(zu)生(sheng)產(chan)的(de)(de)需要，為(wei)了滿足(zu)生(sheng)產(chan)需求，黎明重工加緊科研步(bu)伐，生(sheng)產(chan)出了全自動(dong)智能化環保(bao)節(jie)能立式磨粉
網頁(ye)碳(tan)化硅(gui)具有(you)代表性的結晶相是(shi)(shi)6H型，一般(ban)來說純粹的6H型碳(tan)化硅(gui)是(shi)(shi)無(wu)色(se)透明的，市場(chang)上(shang)實(shi)際銷售的碳(tan)化硅(gui)有(you)各種顏色(se)(多數(shu)是(shi)(shi)黑色(se)和綠色(se))。 顏色(se)是(shi)(shi)受雜質影響的，其中純度高的看
網(wang)頁2021年8月5日??浙(zhe)江大學(xue)先進半導(dao)(dao)體(ti)(ti)研究院寬禁代半導(dao)(dao)體(ti)(ti)材料(liao)（碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅、氮化(hua)(hua)鎵(jia)） 以(yi)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅和氮化(hua)(hua)鎵(jia)為代表的寬禁帶半導(dao)(dao)體(ti)(ti)材料(liao)，突(tu)破(po)原有(you)半導(dao)(dao)體(ti)(ti)材料(liao)在大功(gong)率(lv)、高頻、高速、
網頁(ye)2020年6月10日??碳(tan)化(hua)硅(gui)是用天然硅(gui)石、碳(tan)、木(mu)屑(xie)、工(gong)業鹽作基(ji)本合(he)成原料，在(zai)電(dian)阻爐(lu)中(zhong)加熱反(fan)應(ying)合(he)成。 其中(zhong)加入木(mu)屑(xie)是為(wei)了使塊(kuai)狀混(hun)合(he)物在(zai)高溫下形成多孔(kong)性(xing)，便于反(fan)應(ying)產生的大
網(wang)頁2022年12月(yue)1日??其(qi)中碳化(hua)硅因其(qi)優(you)越的物理性能(neng)：高(gao)禁帶寬度、高(gao)電導率、高(gao)熱(re)導率，有望成為未來最被(bei)廣泛(fan)使用的制(zhi)作半導體芯(xin)片的基(ji)礎材料(liao)。 SiC 器件的制(zhi)造是保(bao)證其(qi)優(you)良應
網頁2021年8月(yue)30日(ri)??綠(lv)碳(tan)化硅的生產工(gong)藝： 綠(lv)碳(tan)化硅制造方(fang)法同黑色碳(tan)化硅，但(dan)采用(yong)的原材料純度要求較高(gao)(gao)，也在電阻爐(lu)中2200°C左(zuo)右(you)的高(gao)(gao)溫下形(xing)成(cheng)，綠(lv)色，呈半透明狀，六(liu)方(fang)晶(jing)形(xing)，
網頁非晶材料 5～10 木(mu)屑(xie) 2～6 3～11 未反應料 25～35 在碳化硅的生產(chan)過程中，回爐料的要(yao)求：包括無(wu)定形料、二級(ji)料，應滿足下列SiC
網頁(ye)2019年6月28日??sic的制作(zuo)工藝 sic，由于天然含量甚(shen)少，碳化硅(gui)主(zhu)要多為人(ren)造(zao)。 常見的方(fang)法是將石(shi)英(ying)砂與焦(jiao)炭混合，利用其中(zhong)的二氧化硅(gui)和石(shi)油焦(jiao)，加入食鹽和木(mu)屑，置(zhi)入電(dian)爐
網頁碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)產業鏈也可分為三個環節：分別是上游(you)襯底(di)，中(zhong)游(you)外延(yan)片和下游(you)器件制造(zao)。 圖表來源：中(zhong)信(xin)證券 碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)上游(you) 襯底(di) 碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)在半導體(ti)中(zhong)存在的主要形式是作為襯底(di)材料。碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)晶(jing)片作為半導體(ti)襯底(di)材料，長晶(jing)難度
網頁2022年12月1日??其(qi)中(zhong)碳化硅因其(qi)優越的(de)(de)物理性能：高禁帶(dai)寬度(du)、高電(dian)導率、高熱導率，有望成為(wei)未來最被廣(guang)泛使用(yong)的(de)(de)制(zhi)作半(ban)導體芯(xin)片(pian)的(de)(de)基(ji)礎材料(liao)。 SiC 器件的(de)(de)制(zhi)造是保證(zheng)其(qi)優良(liang)應用(yong)的(de)(de)關鍵，本文將詳細介紹SiC器件制(zhi)造的(de)(de)離(li)子(zi)注(zhu)入工藝和激(ji)活退(tui)火工藝。 離(li)子(zi)注(zhu)入是一種向半(ban)
網頁2019年6月28日??sic概述，金剛(gang)砂又(you)名(ming)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑(xie)（生產綠色碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)時(shi)需要加(jia)食鹽）等原(yuan)料通過電阻(zu)爐(lu)高溫冶煉(lian)而成。碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)在(zai)(zai)大(da)自然(ran)也存在(zai)(zai)罕(han)見的礦物，莫桑石。 碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)又(you)稱碳(tan)硅(gui)(gui)(gui)石。在(zai)(zai)當(dang)代(dai)C、N、B等非氧化(hua)物高技(ji)術耐火原(yuan)料中，碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)為應用最廣泛、最經濟的一種，可以(yi)
網頁四(si)、碳(tan)化硅產(chan)品加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)(yi)流程 1、制(zhi)砂(sha)(sha)生(sheng)產(chan)線設(she)(she)備組(zu)(zu)成 制(zhi)砂(sha)(sha)生(sheng)產(chan)線由顎式破碎(sui)(sui)機(ji)、對輥破碎(sui)(sui)機(ji)、球磨機(ji)、清吹機(ji)、磁選機(ji)、振 動(dong)篩和皮帶機(ji)等(deng)設(she)(she)備組(zu)(zu)合而成。 根(gen)據不(bu)同的(de)(de)工(gong)藝(yi)(yi)要(yao)(yao)求(qiu)，各種型號的(de)(de)設(she)(she)備進(jin)行組(zu)(zu)合，滿足客戶的(de)(de)不(bu)同工(gong)藝(yi)(yi)要(yao)(yao)求(qiu)。 2、制(zhi)砂(sha)(sha)生(sheng)產(chan)線基本
網頁2022年5月10日??碳化硅是目前(qian)發展最成熟的第三代(dai)半(ban)(ban)導(dao)體材料(liao)。 中國(guo)粉(fen)體網訊 半(ban)(ban)導(dao)體行(xing)業(ye)作為現(xian)代(dai)電(dian)子信(xin)息產業(ye)的基礎，是支(zhi)撐國(guo)民經濟高質量(liang)發展的重要行(xing)業(ye)。 第三代(dai)半(ban)(ban)導(dao)體指的是SiC、GaN、ZnO、金剛(gang)石(shi)（C）、AlN等具有寬禁(jin)帶(dai)（Eg＞23eV）特(te)性的新興半(ban)(ban)導(dao)體材料(liao)。 碳化硅是
網頁2020年12月25日??碳(tan)化硅(gui)單晶襯底材(cai)料(liao)線切(qie)割(ge)工藝(yi)存在材(cai)料(liao)損耗大(da)、效率低等(deng)缺點，必須進一步開發大(da)尺(chi)寸(cun)碳(tan)化硅(gui)晶體的切(qie)割(ge)工藝(yi)，提高加工效率。 襯底表(biao)面(mian)加工質量(liang)的好壞(huai)直(zhi)接決定(ding)了(le)外(wai)延材(cai)料(liao)的表(biao)面(mian)缺陷密度，而大(da)尺(chi)寸(cun)
網頁2019年(nian)5月5日??關注 碳化硅生產工藝(yi)流程簡述如下(xia): ⑴、原(yuan)料(liao)(liao)破(po)碎 采用錘式破(po)碎機(ji)對(dui)石(shi)油焦(jiao)進(jin)行破(po)碎,破(po)碎到工藝(yi)要(yao)求的(de)(de)粒徑。 ⑵、配(pei)(pei)料(liao)(liao)與(yu)混(hun)(hun)料(liao)(liao) 配(pei)(pei)料(liao)(liao)與(yu)混(hun)(hun)料(liao)(liao)是按照規定配(pei)(pei)方進(jin)行稱量和(he)混(hun)(hun)勻的(de)(de)過程。 本項目配(pei)(pei)料(liao)(liao)采用平臺,混(hun)(hun)料(liao)(liao)采用混(hun)(hun)凝土(tu)攪(jiao)拌(ban)機(ji),按照工藝(yi)要(yao)求對(dui)石(shi)油焦(jiao)和(he)石(shi)英砂(sha)
網頁(ye)2021年5月14日??樹牢綠色低碳基礎(chu)材料(liao)標桿(gan) 17:45 （來源(yuan)(yuan)：海(hai)東之聲） 海(hai)東市(shi)化隆回族自治縣境內，109國道、蘭寧高速穿城而過(guo)，坐落于巴燕加合經(jing)濟園依(yi)托碳化硅、電(dian)解鋁資源(yuan)(yuan)優勢(shi)，利用蘭西(xi)城市(shi)群、西(xi)寧—海(hai)東都市(shi)圈(quan)建設(she)便利條(tiao)件，發展有色金屬(shu)、新能(neng)源(yuan)(yuan)
網(wang)頁2022年12月1日??其(qi)中碳化硅因其(qi)優越的物(wu)理性(xing)能：高(gao)禁帶(dai)寬度、高(gao)電導率、高(gao)熱(re)導率，有望成為未來最(zui)被廣泛(fan)使用的制作(zuo)半導體(ti)芯片(pian)的基(ji)礎材(cai)料。 SiC 器件(jian)的制造(zao)(zao)是(shi)保證其(qi)優良(liang)應用的關鍵(jian)，本文將詳細介紹(shao)SiC器件(jian)制造(zao)(zao)的離子(zi)注入(ru)(ru)工藝和激活退火工藝。 離子(zi)注入(ru)(ru)是(shi)一(yi)種向半
網頁(ye)四、碳(tan)化硅產品加(jia)工(gong)工(gong)藝流(liu)程 1、制(zhi)砂(sha)生(sheng)產線設備組(zu)(zu)(zu)成 制(zhi)砂(sha)生(sheng)產線由顎式破碎機(ji)(ji)(ji)、對輥破碎機(ji)(ji)(ji)、球磨(mo)機(ji)(ji)(ji)、清吹(chui)機(ji)(ji)(ji)、磁選機(ji)(ji)(ji)、振 動篩和皮(pi)帶機(ji)(ji)(ji)等設備組(zu)(zu)(zu)合(he)而成。 根據(ju)不同(tong)的(de)(de)工(gong)藝要(yao)求，各(ge)種型(xing)號的(de)(de)設備進(jin)行組(zu)(zu)(zu)合(he)，滿(man)足客戶的(de)(de)不同(tong)工(gong)藝要(yao)求。 2、制(zhi)砂(sha)生(sheng)產線基本
網頁2022年3月(yue)2日??晶(jing)(jing)(jing)體(ti)生(sheng)長：為碳化(hua)硅(gui)襯底制造最核心工(gong)(gong)藝(yi) 環節 1) 目(mu)前市場(chang)主流工(gong)(gong)藝(yi)為 PVT 氣(qi)相傳輸法(fa)（固氣(qi)固反(fan)(fan)應）。在 2300°C 密閉(bi)、真 空的生(sheng)長腔室內(nei)加熱碳化(hua)硅(gui)粉料，使其(qi)升華成反(fan)(fan)應氣(qi)體(ti)。再輸運至籽(zi)晶(jing)(jing)(jing)處、在 籽(zi)晶(jing)(jing)(jing)表(biao)面原子(zi)沉積，生(sheng)長為碳化(hua)硅(gui)單晶(jing)(jing)(jing)
網頁2020年12月(yue)25日??碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui)單晶襯(chen)(chen)底材(cai)料(liao)線切割工(gong)藝存在材(cai)料(liao)損耗大(da)(da)、效率低等(deng)缺(que)點(dian)，必須進一步(bu)開發大(da)(da)尺寸碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui)晶體的(de)切割工(gong)藝，提高(gao)加工(gong)效率。 襯(chen)(chen)底表面(mian)加工(gong)質量的(de)好壞直(zhi)接決定了外延材(cai)料(liao)的(de)表面(mian)缺(que)陷密度(du)，而大(da)(da)尺寸
網頁2021年5月(yue)14日??樹牢(lao)綠色低碳(tan)基礎材料標桿 17:45 （來源：海東(dong)(dong)之聲） 海東(dong)(dong)市(shi)化(hua)隆回族自(zi)治縣境內，109國道、蘭寧高速穿(chuan)城(cheng)而(er)過，坐(zuo)落(luo)于巴燕加合經濟園依托碳(tan)化(hua)硅、電解鋁(lv)資源優勢，利用(yong)蘭西城(cheng)市(shi)群、西寧—海東(dong)(dong)都(dou)市(shi)圈(quan)建設便利條件(jian)，發(fa)展有色金(jin)屬、新能源
網(wang)頁2021年10月14日??碳(tan)化硅是用石英(ying)砂、石油焦(jiao)（或(huo)煤(mei)焦(jiao)）、木屑（生(sheng)產(chan)綠色碳(tan)化硅時需要加(jia)食鹽）等原料通過(guo)電阻爐(lu)高(gao)溫(wen)冶煉而成(cheng)(cheng)。煉得的碳(tan)化硅塊(kuai)，經破(po)碎、酸堿洗、磁選(xuan)和篩分或(huo)水(shui)選(xuan)而制成(cheng)(cheng)各種粒度的產(chan)品。下面(mian)跟隨河南四(si)成(cheng)(cheng)碳(tan)化硅廠家一起了解下碳(tan)化硅的生(sheng)產(chan)工藝(yi)： 1、原料破(po)碎：采用錘式破(po)碎機對石油焦(jiao)進行
網頁2023年(nian)2月(yue)3日??碳(tan)化硅(gui)，是(shi)一(yi)種(zhong)無機(ji)物(wu)(wu)，化學(xue)式為(wei)SiC，是(shi)用石英(ying)砂、石油焦（或(huo)煤(mei)焦）、木屑（生產綠色碳(tan)化硅(gui)時需要加(jia)食鹽(yan)）等(deng)原料通過(guo)電阻爐高溫冶(ye)煉而成。碳(tan)化硅(gui)在大(da)自然也存在罕見的礦物(wu)(wu)，莫桑(sang)石。在C、N、B等(deng)非氧(yang)化物(wu)(wu)高技術耐(nai)火原料中，碳(tan)化硅(gui)為(wei)應用最(zui)(zui)廣(guang)泛、最(zui)(zui)經濟的一(yi)種(zhong)，可(ke)以稱為(wei)金鋼(gang)砂或(huo)耐(nai)火砂。
網頁2014年3月26日??碳化硅生產(chan)過程中產(chan)生的(de)問題： 1施工期的(de)環境(jing)影響(xiang)及(ji)預(yu)防或者減輕不(bu)良環境(jing)影響(xiang)的(de)對策(ce)和(he)措施的(de)要點: ①揚塵，土(tu)石方施工、建筑(zhu)材料的(de)運輸和(he)堆存會產(chan)生揚塵，對周圍環境(jing)空(kong)氣產(chan)生影響(xiang);②施工機械排(pai)放(fang)的(de)尾氣;③噪(zao)聲，施工車輛、建筑(zhu)機械運行和(he)施工材料的(de)碰撞產(chan)生噪(zao)聲，影響(xiang)聲環境(jing)質量;④建筑(zhu)
網(wang)頁2016年12月(yue)10日??碳化硅 sic 線(xian)膨脹 工(gong)藝(yi) 生產 配料 pathway3 分享(xiang)于 21:37:100 更(geng)多(duo)>> 相關文檔 備考2023年安全員之(zhi)江(jiang)蘇省(sheng)C2證（土建安全員）押題(ti)練習試(shi)題(ti)B卷含(han)答案 備考2023年施工(gong)員之(zhi)市政施工(gong)基礎知識(shi)自我(wo)檢測(ce)試(shi)卷B卷附(fu)答案
網頁2021年(nian)7月(yue)19日??簡(jian)介：本(ben)說(shuo)明(ming)書提供一種碳化(hua)硅晶(jing)體配方(fang)技術，該方(fang)法包括：將碳化(hua)硅籽晶(jing)置于生長腔(qiang)體頂部(bu)；將加(jia)熱(re)(re)組件中的加(jia)熱(re)(re)單元(yuan)安裝(zhuang)在生長腔(qiang)體內部(bu)，將至少(shao)部(bu)分源材料(liao)置于至少(shao)部(bu)分加(jia)熱(re)(re)單元(yuan)上表面，其(qi)中，加(jia)熱(re)(re)單元(yuan)包括至少(shao)一個流通(tong)通(tong)道(dao)，至少(shao)一個流通(tong)通(tong)道(dao)貫穿加(jia)熱(re)(re)
網頁2022年5月24日??漬碳碳化(hua)硅用(yong)(yong)石英砂(sha)、石油(you)焦(jiao)（或煤焦(jiao)）、木(mu)屑（生(sheng)產綠(lv)色碳化(hua)硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高(gao)(gao)溫冶煉而成。漬碳碳化(hua)硅在(zai)大(da)自然也存在(zai)罕見的礦物(wu)，莫桑石。在(zai)當代(dai)C、N、B等非氧(yang)化(hua)物(wu)高(gao)(gao)技(ji)術(shu)耐火原料中，漬碳碳化(hua)硅為應用(yong)(yong)最廣泛、最經濟(ji)的一(yi)種，可以稱為金(jin)鋼砂(sha)或耐火砂(sha)。
網頁2021年(nian)10月22日(ri)??2018年(nian)12月19日(ri)，三安集成宣(xuan)布(bu)已完(wan)成了商業版本(ben)的6英寸(cun)碳(tan)化硅晶圓制造技術的全部工藝 鑒定試驗。并將其加入到代工服務(wu)組(zu)合中。2020年(nian)07月19，三安光(guang)電在長沙的第三代半導體項目(mu)開(kai)工，主要(yao)用于(yu)研發、生產及銷售6英寸(cun)SIC導電襯底、4吋半絕緣(yuan)襯
網頁2022年5月10日(ri)??碳化硅襯(chen)(chen)底(di) 襯(chen)(chen)底(di)制造是碳化硅產(chan)業鏈技術(shu)壁(bi)壘最高、價值量最大(da)(da)的環節，是未來(lai)碳化硅大(da)(da)規模產(chan)業化推進(jin)的核(he)心環節。碳化硅的襯(chen)(chen)底(di)可以按照(zhao)電(dian)阻率(lv)分為導電(dian)型(xing)(xing)襯(chen)(chen)底(di)和半絕緣(yuan)(yuan)型(xing)(xing)襯(chen)(chen)底(di)，導電(dian)型(xing)(xing)電(dian)阻率(lv)在002Ωcm左右，半絕緣(yuan)(yuan)型(xing)(xing)電(dian)阻率(lv)大(da)(da)于106Ωcm。
網頁2021年8月4日??碳(tan)化硅(gui)芯(xin)片(pian)這樣制造 新材(cai)料，“芯(xin)”未(wei)來(lai)！ 碳(tan)化硅(gui)芯(xin)片(pian)，取代傳(chuan)統(tong)硅(gui)基芯(xin)片(pian)，可(ke)以有效提(ti)高工作(zuo)效率、 降低(di)能量損耗，減(jian)少碳(tan)排(pai)放(fang)，提(ti)高系統(tong)可(ke)靠性，縮減(jian)體積、節約空間(jian)。 以電動(dong)(dong)汽車為(wei)例，采用(yong)碳(tan)化硅(gui)芯(xin)片(pian)，將使電驅(qu)裝置的體積縮小為(wei)五(wu)分(fen)之(zhi)一，電動(dong)(dong)汽車
網頁“第二(er)代”和“第三(san)代”半導體并非替代關系，下(xia)一(yi)代也不(bu)是(shi)全面領先于上一(yi)代。氮(dan)化(hua)鎵也不(bu)會完(wan)全取代硅(gui)的市(shi)場。現有的半導體產(chan)業鏈都是(shi)圍繞硅(gui)片(pian)建(jian)立的，氮(dan)化(hua)鎵只能分(fen)到一(yi)塊很小(xiao)的市(shi)場。
網頁2021年5月(yue)14日??樹(shu)牢綠色低(di)碳基礎材料(liao)標(biao)桿 17:45 （來源(yuan)：海(hai)東之聲(sheng)） 海(hai)東市化隆回(hui)族自治縣境(jing)內，109國道、蘭寧(ning)高速穿城而過，坐落于(yu)巴燕(yan)加合經濟(ji)園(yuan)依托碳化硅、電(dian)解鋁資(zi)源(yuan)優勢(shi)，利(li)用蘭西城市群、西寧(ning)—海(hai)東都市圈(quan)建設(she)便利(li)條件(jian)，發展有色金屬(shu)、新能源(yuan)
網頁2022年(nian)3月21日??金(jin)剛砂(sha)又名碳化硅(gui)(gui)(SiC)是用(yong)石英砂(sha)、石油焦(或煤(mei)焦)、木屑(生產綠(lv)色碳化硅(gui)(gui)時(shi)需要加食鹽) 此外還(huan)有立(li)方碳化硅(gui)(gui)，它是以特殊(shu)工(gong)(gong)藝制取的(de)黃(huang)綠(lv)色晶(jing)體，用(yong)以制作的(de)磨具適于軸承的(de)超(chao)精加工(gong)(gong)，可(ke)使表面粗糙度(du)從Ra32~016微(wei)米(mi)一次加工(gong)(gong)到(dao)Ra004~002
網頁(ye)2023年2月3日??描述 碳(tan)化硅技術標準(zhun) 碳(tan)化硅，又稱碳(tan)硅石，也(ye)可以稱為(wei)金鋼砂或耐火(huo)砂，在當(dang)代C、N、B等(deng)非氧(yang)化物高技術耐火(huo)原料中，碳(tan)化硅是(shi)最(zui)經濟，也(ye)是(shi)應(ying)用最(zui)廣泛的一(yi)種(zhong)。
網頁2014年3月26日??碳化硅生(sheng)產(chan)(chan)過程中產(chan)(chan)生(sheng)的問(wen)題： 1施工(gong)(gong)期(qi)的環境(jing)影(ying)(ying)響(xiang)(xiang)及(ji)預防或(huo)者(zhe)減輕不(bu)良環境(jing)影(ying)(ying)響(xiang)(xiang)的對策和(he)措施的要點: ①揚塵(chen)，土石方(fang)施工(gong)(gong)、建筑材料(liao)的運輸和(he)堆存(cun)會產(chan)(chan)生(sheng)揚塵(chen)，對周圍環境(jing)空氣產(chan)(chan)生(sheng)影(ying)(ying)響(xiang)(xiang);②施工(gong)(gong)機械排放的尾氣;③噪聲，施工(gong)(gong)車輛、建筑機械運行和(he)施工(gong)(gong)材料(liao)的碰(peng)撞產(chan)(chan)生(sheng)噪聲，影(ying)(ying)響(xiang)(xiang)聲環境(jing)質量;④建筑
網(wang)頁2021年(nian)7月19日??簡介：一種碳化(hua)硅(gui)(gui)晶體(ti)(ti)的(de)生長方(fang)法(fa)，它屬(shu)于(yu)碳化(hua)硅(gui)(gui)晶體(ti)(ti)生長方(fang)法(fa)領域。本技(ji)(ji)術(shu)要解決的(de)技(ji)(ji)術(shu)問題為(wei)降低碳化(hua)硅(gui)(gui)晶體(ti)(ti)的(de)熱(re)應(ying)力。本技(ji)(ji)術(shu)取碳化(hua)硅(gui)(gui)籽晶，粘接(jie)于(yu)石(shi)墨(mo)坩堝(guo)上蓋，將石(shi)墨(mo)坩堝(guo)加(jia)裝保溫材料(liao)放置到單晶生長爐內，抽(chou)真(zhen)空(kong)到10?20Pa以下，之(zhi)后加(jia)熱(re)到500?550℃，保持真(zhen)空(kong)狀(zhuang)態1?2h，然后將氬(ya)氣充(chong)入
